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Los científicos desarrollan un nuevo transistor de configuración récord para dispositivos inalámbricos

Los científicos desarrollan un nuevo transistor de configuración récord para dispositivos inalámbricos

La búsqueda de un transistor más eficiente puede haber recibido un impulso de los ingenieros que dicen que han creado un transistor que podría permitir transistores más baratos y rápidos en dispositivos inalámbricos.

Un nuevo transistor podría mejorar la eficiencia y la velocidad de los dispositivos inalámbricos

Investigadores de la Universidad de Deleware (UD) dicen que han creado un nuevo transistor que podría reducir el costo y aumentar la velocidad de los dispositivos inalámbricos.

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Según un nuevo estudio en Física Aplicada Express, los investigadores de la UD han creado un transistor de alta movilidad de electrones que puede amplificar y dirigir la corriente eléctrica utilizando nitruro de galio y una barrera de nitruro de aluminio e indio sobre un sustrato de silicio.

Lo que hace que su transistor sea tan impresionante son sus propiedades récord. Tiene una fuga de puerta récord baja, la relación de corriente de encendido y apagado más alta y la frecuencia de corte de ganancia de corriente más alta registrada, que es un indicador de la cantidad de datos que se pueden transmitir utilizando una gran variedad de frecuencias.

Todo esto hace que el nuevo transistor sea especialmente útil para dispositivos móviles que dependen de sistemas de comunicaciones inalámbricas. Para cualquier corriente dada, el nuevo transistor sería capaz de manejar más voltaje y requeriría menos duración de la batería que los transistores de corriente.

"Estamos fabricando este transistor de alta velocidad porque queremos expandir el ancho de banda de las comunicaciones inalámbricas, y esto nos dará más información por un tiempo limitado", dijo Yuping Zeng, profesor asistente de ingeniería eléctrica e informática en la UD. "También se puede usar para aplicaciones espaciales porque el transistor de nitruro de galio que usamos es resistente a la radiación, y también es un material con banda prohibida amplia, por lo que puede tolerar mucha potencia".

Zeng agregó que: "este proceso también puede ser compatible con la tecnología de semiconductores de óxido metálico complementario de silicio, que es la tecnología convencional utilizada para los semiconductores".

Dennis Prather, profesor de ingeniería eléctrica e informática y coautor del artículo, considera que el nuevo transistor llega justo a tiempo para la próxima gran revolución en la tecnología de las comunicaciones: las redes 5G.

"Con la era del 5G sobre nosotros, es muy emocionante ver los transistores que establecen récords del profesor Zeng como una contribución líder en este campo", dijo. "Su investigación es de renombre mundial y el Departamento de ECE tiene mucha suerte de tenerla en su facultad. Con este fin, 5G está marcando el comienzo de una ola de nuevas tecnologías en casi todos los aspectos de las comunicaciones móviles y redes inalámbricas, para tener el departamento de ECE de UD a la vanguardia, con la destacada investigación del profesor Zeng, es algo verdaderamente maravilloso ".


Ver el vídeo: Un transistor misterioso (Octubre 2021).